عنوان :
بررسی روش های فشرده سازی صوت (celp) و کاربرد آن در موبایل
استاد راهنما :

عنوان :
نانوترانزیستور و كاربرد آن در مدارهای دیجیتال
برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چكیده:

چکیده:

طراحی سیستم های بسیار بزرگ و پیچیده روی یک تراشه واحد مشکل است و از قانون خاصی نیز تبعیت نمی کند. صنعت EDA تلاش می کند با فراهم کردن ابزار و متدولوژی های مورد نیاز، به کارگیری مجدد قطعات، ساختارها و کاربردها را امکان پذیر سازد. از آنجا که نیاز به سازماندهی تعداد زیادی از هسته های IP در یک تراشه با بهره گرفتن از زیرساخت ارتباطی استاندارد در طراحی SOC احساس می شد، این موضوع ابتدا طراحان را به استفاده از روش طراحی مبتنی بر بستر رهنمون گردانید. بسترها تنها دارای ارتباطات مبتنی بر گذرگاه هستند. بنابراین طراح می بایست با پیکره بندی و برنامه ریزی هسته های IP متصل شونده به گذرگاه ها، سیستم جدید را ایجاد می کرد. اما کم کم احساس نیاز به نوع کارآمدتری از شبکه ارتباطات احساس می شد، که بتوانند ارتباطات در SOC های بزرگ و پیچیده را حمایت کند. بدین ترتیب ایده شبکه روی تراشه مطرح شد. اولین حسن NOC آنست که راه حلی برای مشکلات الکتریکی در تکنولوژی های زیر میکرون به حساب می آید زیرا سیم کشی های عمومی و حجیم را ساختاربندی و مدیریت می کند، به علاوه، کارآمدتر، قابل اطمینان تر و

مقیاس پذیرتر نسبت به گذرگاه های معمول است. شبکه قابل پیکره بندی و مقیاس پذیر روی تراشه، بستر انعطاف پذیری است که می تواند با نیازهای کاربردهای مختلف منطبق شود. در این پژوهش روش های مختلف طراحی سیستم روی تراشه بررسی شده و روند تکاملی آنها تا رسیدن به شبکه روی تراشه توصیف گردیده است.

مقدمه:

امروزه برای طراحی سیستم های پیچیده، مشکلات سیم بندی وجود دارد. خصوصیات الکتریکی سیگنال ها و تاخیر، قابل پیش بینی نبوده و تست و بازبینی آنها نیز مشکل است. برای حل این مشکلات، طرح جدیدی به نام شبکه روی تراشه (NOC) پیشنهاد شده است. در این طرح، بلاک های مختلف IP توسط یک شبکه مبتنی بر بسته به هم مرتبط می شوند. این شبکه چیزی متفاوت از ارتباطات شبکه ای در مقیاس بزرگ می باشد، زیرا هم سطح منابع روی تراشه محدود است و هم ارتباط باید با تاخیر کمی به وجود

چكیده

با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملكرد و كاهش هزینه ساخت، آتار كانال كوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترا نزیستورهای كانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند كه موجب اختلال در عملكرد ترانزیستورها می شوند. یكی از روشها برای از بین بردن آثار كانال كوتاه ایجاد آلایش هاله كون و تغییر ناخالصی بستر می باشد. ترانزیستوری با طول كانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم كرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر كانال كوتاه را بهبود می دهیم.

دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار كانال كوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم. در فصل دوم مهندسی كانال را كه شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای كاهش اثرات كانال كوتاه مورد بررسی قرار می دهیم. در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می كنیم. در این فصل نشان میدهیم كه ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث

بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الكتریكی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود. بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم كه ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه كوچكتر دارای اثر حاملهای داغ كمتری خواهند بود . در این فصل نشان می دهیم كه Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست. همچنین تاثیر تغییر در میزان كاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میكنیم.

در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم. در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios كه جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می كنیم. و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میكنیم . می بینیم كه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد. در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم.

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الكترونیك پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملكرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از كوچك نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است. ولی در عین حال مشكلات زیادی در كاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید. برخی از این آثار عبارتند از اثرات كانال كوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه. این آثار موجب اختلال در عملكرد ترانزیستور می شوند. بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راه های كاهش اثرات كانال كوتاه برای ما اهمیت دارد.

فصل اول

در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی و کوچک شدن ابعاد وسایل الکترونیکی و گسترش مخابرات سیار در جهان، طراحان مدارهای مجتمع بیشتر از قبل به دنبال راه هائی جهت کاهش توان مصرفی و افزایش سرعت عملکرد مدارها بوده و در این زمینه نیز به موفقیت های بسیاری را کسب نموده اند.

در این پایان نامه نیز در همین راستا و در جهت کاهش توان مصرفی مدارهای مجتمع، ابتدا به بررسی عوامل مختلف جهت کاهش توان مصرفی پرداخته و در ادامه چندین روش مختلف مداری ارائه شده در مدارهای دومینو (Domino) بررسی شده و سپس دو روش مداری جهت کاهش توان مصرفی پیشنهاد می گردد، که این روش ها برروی گیت های NAND و NOR پیاده سازی و توسط نرم افزار Hspice شبیه سازی شده و با مدارهای مشابه طراحی شده از روش های دیگر مقایسه گردیده است، که این شبیه سازی ها، حاکی از کاهش قابل توجه توان مصرفی نسبت به روش های دیگر است.

در ادامه، یک روش جدید جهت طراحی گیت NOR با 32 ورودی ارائه شده و توسط نرم افزار Hspice شبیه سازی شده است، که این مدار نیز در چندین حالت مختلف، دارای توان مصرفی کمتر و

سرعت عملکرد بالاتر نسبت به مدارهای ارائه شده دیگر می باشد.

مقدمه

مدارهای مجتمع دیجیتال همواره به علت سادگی در طراحی، قابلیت پیاده سازی از یک تکنولوژی قدیمی تر به تکنولوژی جدیدتر، کم نویز بودن و کم مصرف کردن توان نسبت به مدارهای آنالوگ، بیشتر مورد توجه طراحان مدارهای مجتمع، قرار گرفته اند.

در دهه 80 میلادی بیشترین توجه طراحان بر روی مسئله سرعت و مساحت اشغال شده توسط سطح تراشه، متمرکز بود.

اما با پیشرفت تکنولوژی و افزایش تعداد ترانزیستورها در داخل یک تراشه، توان مصرفی توسط ترانزیستورها و در مجموع، توان مصرفی توسط مدارهای مجتمع اهمیت خود را نشان داد و طراحان را وادار نمود تا راهکارهائی جهت کاهش توان مصرفی ارائه دهند.

در این راستا مسائلی از قبیل مخابرات سیار و وسائل الکترونیک قابل حمل، نیز باعث گردیدند تا ضرورت کاهش توان مصرفی بیشتر مورد توجه طراحان و مهندسان قرار گیرد.

فصل اول

کلیات

1-1- اهمیت سرعت و توان مصرفی و سطح اشغال شده در مدارها

پس از به وجود آمدن مدارهای دیجیتال، همواره سه مسئله مهم مدنظر طراحان قرار داشته است، که این سه مسئله مهم عبارتند از: