(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

به طور كلی امروزه سیستمهای شناسایی اجزاء جمله به دلیل كاربردهای فراوانی كه دارند، بسیار مورد توجه قرار گرفته
اند و تعداد زیادی از محققین در این زمینه مشغول به فعالیت می باشند. از جمله این كاربردها می توان كمك به
نابینایان، كمك به ناشنوایان، سیستمهای شناسایی اشخاص، آموزش زبان و… را اشاره نمود، حال ممكن است این
سئوال مطرح شود كه چرا هدف ما در این تحقیق شناسایی واكه هاست. در پاسخ به این پرسش باید گفت كه بخش
اعظم یك هجا را واكه ها تشكیل داده اند. بنابراین شناسایی واكه ها مهمترین مرحله شناسایی اجزاء جمله می باشد و
حصول به این مقصود، راه را بسیار هموار می سازد.
این تحقیق بر روی آشكارسازی محل واكه ها تاكید دارد و روشی برای جداسازی واكه ها بر اساس تبدیلات ویولت
بیان می كند. در فصل اول كلیاتی راجع به این هدف مشاهده میكنید، در فصل دوم با مفاهیم اولیه این بحث آشنایی

عنوان :
بررسی روش های فشرده سازی صوت (celp) و کاربرد آن در موبایل
استاد راهنما :

عنوان :
نانوترانزیستور و كاربرد آن در مدارهای دیجیتال
برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چكیده:

چکیده:

طراحی سیستم های بسیار بزرگ و پیچیده روی یک تراشه واحد مشکل است و از قانون خاصی نیز تبعیت نمی کند. صنعت EDA تلاش می کند با فراهم کردن ابزار و متدولوژی های مورد نیاز، به کارگیری مجدد قطعات، ساختارها و کاربردها را امکان پذیر سازد. از آنجا که نیاز به سازماندهی تعداد زیادی از هسته های IP در یک تراشه با بهره گرفتن از زیرساخت ارتباطی استاندارد در طراحی SOC احساس می شد، این موضوع ابتدا طراحان را به استفاده از روش طراحی مبتنی بر بستر رهنمون گردانید. بسترها تنها دارای ارتباطات مبتنی بر گذرگاه هستند. بنابراین طراح می بایست با پیکره بندی و برنامه ریزی هسته های IP متصل شونده به گذرگاه ها، سیستم جدید را ایجاد می کرد. اما کم کم احساس نیاز به نوع کارآمدتری از شبکه ارتباطات احساس می شد، که بتوانند ارتباطات در SOC های بزرگ و پیچیده را حمایت کند. بدین ترتیب ایده شبکه روی تراشه مطرح شد. اولین حسن NOC آنست که راه حلی برای مشکلات الکتریکی در تکنولوژی های زیر میکرون به حساب می آید زیرا سیم کشی های عمومی و حجیم را ساختاربندی و مدیریت می کند، به علاوه، کارآمدتر، قابل اطمینان تر و

مقیاس پذیرتر نسبت به گذرگاه های معمول است. شبکه قابل پیکره بندی و مقیاس پذیر روی تراشه، بستر انعطاف پذیری است که می تواند با نیازهای کاربردهای مختلف منطبق شود. در این پژوهش روش های مختلف طراحی سیستم روی تراشه بررسی شده و روند تکاملی آنها تا رسیدن به شبکه روی تراشه توصیف گردیده است.

مقدمه:

امروزه برای طراحی سیستم های پیچیده، مشکلات سیم بندی وجود دارد. خصوصیات الکتریکی سیگنال ها و تاخیر، قابل پیش بینی نبوده و تست و بازبینی آنها نیز مشکل است. برای حل این مشکلات، طرح جدیدی به نام شبکه روی تراشه (NOC) پیشنهاد شده است. در این طرح، بلاک های مختلف IP توسط یک شبکه مبتنی بر بسته به هم مرتبط می شوند. این شبکه چیزی متفاوت از ارتباطات شبکه ای در مقیاس بزرگ می باشد، زیرا هم سطح منابع روی تراشه محدود است و هم ارتباط باید با تاخیر کمی به وجود

چكیده

با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملكرد و كاهش هزینه ساخت، آتار كانال كوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترا نزیستورهای كانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند كه موجب اختلال در عملكرد ترانزیستورها می شوند. یكی از روشها برای از بین بردن آثار كانال كوتاه ایجاد آلایش هاله كون و تغییر ناخالصی بستر می باشد. ترانزیستوری با طول كانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم كرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر كانال كوتاه را بهبود می دهیم.

دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار كانال كوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم. در فصل دوم مهندسی كانال را كه شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای كاهش اثرات كانال كوتاه مورد بررسی قرار می دهیم. در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می كنیم. در این فصل نشان میدهیم كه ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث

بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الكتریكی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود. بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم كه ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه كوچكتر دارای اثر حاملهای داغ كمتری خواهند بود . در این فصل نشان می دهیم كه Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست. همچنین تاثیر تغییر در میزان كاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میكنیم.

در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم. در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios كه جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می كنیم. و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میكنیم . می بینیم كه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد. در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم.

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الكترونیك پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملكرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از كوچك نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است. ولی در عین حال مشكلات زیادی در كاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید. برخی از این آثار عبارتند از اثرات كانال كوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه. این آثار موجب اختلال در عملكرد ترانزیستور می شوند. بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راه های كاهش اثرات كانال كوتاه برای ما اهمیت دارد.

فصل اول