پایان نامه ارشد کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش قدرت:جبران سازی کمبود و بیشبود ولتاژ در شبکههای توزیع نیروی برق با بهره گرفتن از بازیاب دینامیکی ولتاژ مبتنی بر مبدلهای چند سطحی با ساختار مدولار شده و اتصال آبشاری | ... | |
جبران سازی کمبود و بیشبود ولتاژ در شبکههای توزیع نیروی برق با بهره گرفتن از بازیاب دینامیکی ولتاژ مبتنی بر مبدلهای چند سطحی با ساختار مدولار شده و اتصال آبشاری استاد راهنما: دکتر عبدالرضا شیخ الاسلامی استاد مشاور: مهندس توحید نوری
(تابستان 1393)مقدمات تکه هایی از متن به عنوان نمونه : چكیده
امروزه با وجود کاربرد وسیع بارهای حساس نظیر، ادوات الکترونیک قدرت، کامپیوترها و بارهای غیرخطی در شبکههای توزیع، مسئله کیفیت توان بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. اکثر این بارها به تغییرات ولتاژ، نظیر کمبود و بیشبود ولتاژ، حساس بوده و جهت عملکرد مناسب به منبع ولتاژ سینوسی نیاز دارند. بنابراین استفاده از بهسازهای کیفیت توان جهت کاهش اثر نامطلوب این اختلالات بر عملکرد بارهای حساس ضروری به نظر میرسد. در سالهای اخیر راهحلهای مختلفی برای مقابله با این مشکل پیشنهاد شده است که یکی از بهترین و مؤثرترین روشها، استفاده از DVR[1] میباشد. هدف از انجام این پایاننامه بهبود کیفیت توان در شبکههای توزیع نیروی برق با وجود اغتشاشاتی نظیر کمبود و بیشبود ولتاژ با بهره گرفتن از DVR پیشنهادی میباشد. همچنین مقایسه عملکرد چهار تیپ مختلف DVR در جبران کمبود و بیشبود ولتاژ را میتوان از دیگر اهداف این پایاننامه برشمرد. مبدلهای منبع ولتاژ مختلفی جهت استفاده در DVR، در پژوهشهای قبلی ارائه شده است. در این پایاننامه جهت نیل به اهداف فوق، مبدل منبع ولتاژ چند سطحی با ساختار مدولار شده و اتصال آبشاری ([2]MMCC) جهت بهبود عملکرد DVR در جبرانسازی اغتشاشات ولتاژ، ارائه شده است. به منظور مشاهده عملکرد DVR پیشنهادی در بهبود کیفیت توان، بر روی سیستم تست در محیط MATLAB/SIMULINK شبیهسازی شده است. جهت ارزیابی کیفیت ولتاژ و مشاهده عملکرد DVR با بهره گرفتن از مبدل پیشنهادی، [3]THD ولتاژ دو سر بار و ولتاژ تزریقی توسط DVR پیشنهادی سه، پنج و هفت سطحه محاسبه شده و با DVR معمولی (مبتنی بر اینورتر دو سطحه PWM[4]) مقایسه گردیده است. نتایج حاصل از شبیهسازی، سرعت عملکرد و دقت DVR پیشنهادی را در بازیابی ولتاژ دو سر بار تأیید میکند.
کلمات کلیدی: بازیاب دینامیکی ولتاژ، بیشبود ولتاژ، کمبود ولتاژ، کیفیت توان، مبدل چند سطحی با ساختار مدولار شده و اتصال آبشاری. فهرست علائم و نشانهها عنوان علامت اختصاری ی پیک دامنه ولتاژ زاویه ولتاژ بار سرعت زاویهای جریان دوره تناوب تبدیل پارک مختصات محور dq ولتاژDC ولتاژ تزریقی ولتاژ دو سر بار توان حقیقی زاویه ولتاژ DVR ولتاژ تونن ولتاژ DVR توان ظاهری DVR تغییرات آنی ولتاژ فرکانس کلیدزنی کیلو هرتز اهم امپدانس فرکانس سلف خازن اندوکتانس فهرست علایم و نشانهها عنوان علامت اختصاری ی ولتاژ منبع تعداد سلول در هر فاز مقاومت کیلوولت زاویه ولتاژ تزریقی زاویه ولتاژ بار زاویه ولتاژ منبع ولتاژ مؤلفه d ولتاژ مؤلفه q توان حقیقی DVR شاخص مدولاسیون دامنه شاخص مدولاسیون فرکانس دامنه تغییرات گام ولتاژ
فهرست علائم اختصاری جریان متناوب
فهرست مطالب
1- مقدمه. 1 2- رطوبت در ترانسفورماتور و تاثیر آن بر عمر عایق. 4 2-1- اهمیت خشک کردن عایق ترانسفورماتور 4 2-2- علل تولید رطوبت در ترانسفورماتور و تاثیر آن بر عایق 8 2-3- روشهای اندازه گیری رطوبت موجود در عایق جامد. 14 2-3-1-………………………………………………………………….. روش مستقیم. 14 2-3-2-……………………………………………………. روشهای غیرمستقیم. 14 2-4-……… پیر شدن و تعیین عمر عایق ترانسفورماتور. 19 2-5- تعیین عمر ترانسفورماتور با داشتن دمای نقطه داغ 21 3- مروری بر روشهای خشک کردن عایق ترانسفورماتور. 23 3-1- نقش گرما و خلأ در فرایند خشک کردن 23 3-2- انواع روشهای خشک کردن عایق ترانسفورماتور 24 3-2-1-…………………………………………………. روش استفاده از خلأ. 25 3-2-2-……………………………………………………………… روش هوای داغ. 26 3-2-3-…………………………………………………………… روش گرما و خلأ. 27 3-2-4-…………………………………………………………… روش گردش روغن. 28 3-2-5-……………………………………….. روش خشک کردن فاز بخار. 29 3-2-6-………………………………….. روش گرمایش فرکانس پایین. 30 3-3-…………………………………. مقایسه روشهای خشک کردن عایق. 34 3-3-1-……………………… مقایسه از نظر سرعت جذب رطوبت. 34
3-3-2- مقایسه انرژی مورد نیاز، زمان و هزینه در روشهای مختلف 36 3-3-3- مقایسه روش گردش روغن در ترکیب با خلأ و روش گرمایش فرکانس پایین. 37
4-1- روش پل وتستون با ترانسفورماتور ولتاژ 38 4-2- روش اندازه گیری چهار سیمه با فیلتر پایین گذر 39 4-3- اندازه گیری مقاومت ترانسفورماتور در دستگاه گرمایش فرکانس پایین. 40 5- ارتقای سامانه کنترلی. 41 5-1- مشخصات پردازنده TMS320F2812. 42 5-2-……………………………………………………….. اصلاح بردهای کنترلی. 44 5-3-……………………………………………………….. کالیبراسیون حسگرها. 44 5-3-1- اندازه گیری مقاومت اولیه سیمپیچیهای ترانسفورماتور 44 5-3-2- پیاده سازی اندازه گیری مقاومت در چند نقطه کار 46 5-3-3- طراحی نرم افزاری برای کالیبره کردن حسگرها 47 5-4-………………………………………………… کنترل حلقه بسته جریان. 49 5-4-1-………………………………….. طراحی کنترل کننده جریان. 51 5-4-2- شبیهسازی کنترل کننده جریان با بهره گرفتن از بلوک محاسبه مقدار موثر. 61 5-4-3-……………………………….. آزمایش کنترل کننده جریان. 62 5-4-4-…………. تنظیم وفقی پارامترهای کنترل کننده. 64 5-5-………………………………………………………………….. راه اندازی نرم. 66 5-5-1- تعیین بهینه لحظه تغییر وضعیت کنترل کننده در راه اندازی نرم. 66 5-5-2-………. نتایج آزمایشگاهی در راه اندازی نرم. 67 6- اندازه گیری مقاومت سیمپیچیهای ترانسفورماتور. 69 6-1- اندازه گیری توان سیمپیچیهای ترانسفورماتور 69 6-1-1-……………………… نحوه محاسبه توان در روش قدیم. 70 6-1-2-………………………………….. محاسبه توان در روش جدید. 71 6-2- عدم تعادل در مقاومت فازها. 77 6-2-1-………………………………………………………………… اتصال ستاره. 78 6-2-2-…………………………………………………….. اتصال مثلث (D11). 82 6-3- نتایج شبیهسازی. 86 6-4- نتایج آزمایشگاهی. 90 6-5- بررسی حالات دیگر عدم تعادل. 93 7- نتیجه گیری و پیشنهادات. 96 7-1- نتیجه گیری. 96 7-2- پیشنهادات. 97 فهرست منابع. 99 8- پیوست: مجموعه آزمایشها 106 8-1- اصلاح برهای کنترلی. 106 8-2- مجموعه آزمایشها. 109 8-2-1- نتایج آزمایشگاهی در اندازه گیری مقاومت اولیه 109 8-2-2- نتایج آزمایشگاهی در ارزیابی کنترل حلقه بسته جریان 112 8-2-3-………………… نتایج عملی برای راه اندازی نرم. 113 8-2-4-……………………… اندازه گیری مقاومت سیمپیچیها. 116
فهرست شکلها شکل 2‑1 نحوه چینش عایق در یک ترانسفورماتور.. 5 شکل 2‑2 نحوه چینش عایق در یک ترانسفورماتور.. 6 شکل 2‑3 تغییرات مقاومت عایقی و ضریب تلفات عایقی کاغذ بر حسب درصد رطوبت موجود در آن.. 7 شکل 2‑4 تغییرات سرعت نسبی وابسپارش کاغذ بر حسب درصد رطوبت موجود در آن.. 7 شکل 2‑5 نحوه تشکیل آب از تجزیه سلولز.. 9 شکل 2‑6 تغییرات عمر ترانسفورماتور (سال) بر حسب دما در مقادیر مختلف رطوبت عایق.. 10 شکل 2‑7 تغییر شکل عایق کاغذی در اثر جذب و پس دادن رطوبت. 13 شکل 2‑8 منحنیهای تعادلی رطوبت موجود در کاغذ و روغن بر حسب دما.. 15 شکل 2‑9 منحنی رطوبت موجود در کاغذ برحسب رطوبت نسبی روغن. 17 شکل 2‑10 وابستگی منحنی پاسخ فرکانسی ضریب تلفات عایقی به رطوبت موجود در عایق. 18 شکل 2‑11 پاسخ فرکانسی ضریب تلفات عایقی و نحوه تغییر آن با عوامل مختلف.. 19 شکل 2‑12 منحنی عمر یکایی شده ترانسفورماتور بر حسب دمای نقطه داغ.. 22 شکل 3‑1 افزایش سرعت نسبی نفوذ آب در پرسبورد (غیر آغشته به روغن) با دما و فشار.. 23 شکل 3‑2 روش خلأ تنها برای خشک کردن عایق ترانسفورماتور. 26 شکل 3‑3 روش استفاده از جریان هوای داغ برای خشک کردن عایق ترانسفورماتور.. 27 شکل 3‑4 روش استفاده توامان از گرما و خلأ برای خشک کردن عایق ترانسفورماتور.. 28 شکل 3‑5 روش استفاده از گردش روغن به منظور خشک کردن عایق ترانسفورماتور.. 29 شکل 3‑6 استفاده از روش فاز بخار برای خشک کردن عایق ترانسفورماتور.. 30 شکل 3‑7 روش گرمایش فرکانس پایین برای رطوبت زدایی از عایق ترانسفورماتور.. 31 شکل 3‑8 فرایند خشک کردن ترکیبی از گرمایش فرکانس پایین و پاشش روغن.. 33 شکل 3‑9 تعداد ترانسفورماتورهای قدرتی که در محل نصب با روش گرمایش فرکانس پایین خشک شدهاند.. 34 شکل 3‑10 زمان لازم برای خشک کردن یک ترانسفورماتور MVA400 با 14 تن عایق از رطوبت %3 به %5/1.. 35 شکل 3‑11 مقایسه قدرت جذب رطوبت در روشهای مختلف.. 35 شکل 3‑12 مقایسه انرژی الکتریکی و حرارتی مورد نیاز در روشهای مختلف خشک کردن.. 36 شکل 3‑13 مقایسه زمان، انرژی، هزینه نگهداری و سرمایه گذاری در روشهای مختلف خشک کردن.. 37 شکل 4‑1 مداری برای اندازه گیری مقاومت DC حین اتصال به منبع AC.. 39 شکل 4‑2 مداری برای اندازه گیری مقاومت DC حین اتصال به منبع AC با فیلتر پایین گذر.. 39 شکل 5‑1 جریان مرجع برای اندازه گیری مقاومت اولیه. 46 شکل 5‑2 محیط نرم افزار کالیبراسیون حسگرها.. 48 شکل 5‑3 کنترل کننده جریان در سامانه قدیم.. 49 شکل 5‑4 بلوک جبران ساز دما از نوع تناسبی.. 50 شکل 5‑5 کنترل کننده جریان در سامانه جدید.. 51 شکل 5‑6 مدار فیلتر خروجی اینورتر.. 51 شکل 5‑7 نمودار بلوکی کنترل کننده جریان با تاخیر مسیر پسخور. 52 شکل 5‑8 پاسخ پله کنترل کننده جریان با تقریب پاده R0,1(s). 55 شکل 5‑9 ناحیهای از صفحه که پایداری سیستم حلقه بسته را با تقریب پاده R1,1(s) تضمین می کند.. 56 شکل 5‑10 پاسخ پله کنترل کننده جریان با تقریب پاده R1,1(s). 57 شکل 5‑11 ناحیهای از صفحه که پایداری سیستم حلقه بسته با تقریب پاده مرتبه دوم را تضمین می کند.. 58 شکل 5‑12 منحنی مکان ریشه های سیستم حلقه بسته در تقریب پاده R2,2(s).. 60 شکل 5‑13 پاسخ پله کنترل کننده جریان با تقریب پاده R2,2(s). 60 شکل 5‑14 پاسخ پله کنترل کننده جریان با بهره گرفتن از بلوک محاسبه مقدار موثر.. 62 شکل 5‑15 پاسخ پله کنترل کننده جریان (فرکانس 1/0 هرتز.) 63 شکل 5‑16 پاسخ پله کنترل کننده جریان (فرکانس 1 هرتز.) 64 شکل 5‑17 نمودار بلوکی راه اندازی نرم.. 66 شکل 5‑18 منطق کنترلی راه اندازی نرم.. 67 شکل 5‑19 شکل موج جریان مرجع، جریان شیب و جریان واقعی هنگام راه اندازی نرم.. 68 شکل 6‑1 نمودار بلوکی تخمین مقاومت به روش قدیم.. 71 شکل 6‑2 نحوه اتصال ستاره و نمودار فازوری آن.. 71 شکل 6‑3 نحوه اتصال مثلث D11.. 72 شکل 6‑4 دو روش برای محاسبه مقدار موثر جریان فاز.. 74 شکل 6‑5 نمودار بلوکی تخمین مقاومت به روش جدید.. 75 شکل 6‑6 خطای تخمین مقاومت در حالت گذرای تغییر پلهای در ولتاژ ورودی (روش قدیم).. 76 شکل 6‑7 خطای تخمین مقاومت در حالت گذرای تغییر پلهای در ولتاژ ورودی (روش جدید).. 77 شکل 6‑8 بهبود تخمین مقاومت با اعمال ماتریس تصحیح در اتصال ستاره (فاز r).. 81 شکل 6‑9 بهبود تخمین مقاومت با اعمال ماتریس تصحیح در اتصال ستاره (فاز y و b).. 82 شکل 6‑10 بهبود تخمین مقاومت با اعمال ماتریس تصحیح در اتصال مثلث (فاز r).. 85 شکل 6‑11 مدار مورد استفاده برای آزمایش الگوریتم جدید اندازه گیری مقاومت (اتصال ستاره).. 86 شکل 6‑12 مدار مورد استفاده برای آزمایش الگوریتم جدید اندازه گیری مقاومت (اتصال مثلث D11).. 86 شکل 6‑13 شبیهسازی تخمین مقاومتها در حالت عدم تعادل با روش قدیم.. 89 شکل 6‑14 شبیهسازی تخمین مقاومتها در حالت عدم تعادل با روش جدید.. 89 شکل 6‑15 آزمایش تخمین مقاومتها در حالت عدم تعادل با روش قدیم… 92 شکل 6‑16 آزمایش تخمین مقاومتها در حالت عدم تعادل با روش جدید.. 92 شکل 8‑1 برد واسط جدید طراحی شده برای پردازنده TMS320F2812. 106 شکل 8‑2 ارتقای برد حفاظت دستگاه به منظور افزایش قابلیت اطمینان.. 107 شکل 8‑3 دستگاه گرمایش فرکانس پایین در آزمایشگاه محرکههای الکتریکی.. 108 شکل 8‑4 شکل موج توان کل و جریان مرجع هنگام اندازه گیری مقاومت اولیه.. 109 شکل 8‑5 شکل موج ولتاژ باس DC و اندیس مدولاسیون هنگام اندازه گیری مقاومت اولیه.. 110 شکل 8‑6 ولتاژ موثر و جریان موثر واقعی (میانگین سه فاز) هنگام اندازه گیری مقاومت اولیه.. 110 شکل 8‑7 مقاومت تخمین زده شده (میانگین سه فاز) هنگام اندازه گیری مقاومت اولیه.. 111 شکل 8‑8 نتایج نهایی اندازه گیری مقاومت اولیه در ده نقطه کار. 112 شکل 8‑9 پاسخ جبران ساز جریان به پله مثبت و منفی فرمان در فرکانس 1/0 هرتز.. 113 شکل 8‑10 پاسخ جبران ساز جریان به پله مثبت و منفی فرمان مقدار موثر جریان در فرکانس 1/0 هرتز.. 113 شکل 8‑11 جریان مرجع تولید شده و جریان شیب هنگام راه اندازی نرم.. 114 شکل 8‑12 ولتاژ موثر و جریان موثر واقعی (میانگین سه فاز) هنگام راه اندازی نرم.. 115 شکل 8‑13 ولتاژ باس DC و اندیس مدولاسیون هنگام راه اندازی نرم. 115 شکل 8‑14 دما و مقاومت تخمین زده شده (میانگین سه فاز) هنگام راه اندازی نرم.. 116 شکل 8‑15 توان کل تزریقی هنگام راه اندازی نرم.. 116 شکل 8‑16 مقاومتهای اندازه گیری شده بر حسب زمان در روش قدیم (اتصال ستاره).. 117 شکل 8‑17 مقاومتهای اندازه گیری شده بر حسب زمان در روش جدید (اتصال ستاره).. 118 شکل 8‑18 مقاومتهای اندازه گیری شده بر حسب زمان در روش قدیم (اتصال مثلث).. 118 شکل 8‑19 مقاومتهای اندازه گیری شده بر حسب زمان در روش جدید (اتصال مثلث).. 119
فهرست جدولها جدول 2‑1 مقدار توصیه شده برای حداکثر رطوبت موجود در روغن برای ولتاژ 69 کیلوولت.. 16 جدول 2‑2 معیارهای تخمین پایان عمر عایق ترانسفورماتور. 21 جدول 3‑1 مقایسه روش گردش روغن در ترکیب با خلأ و روش گرمایش فرکانس پایین.. 37 جدول 5‑1 مشخصات نامی دستگاه گرمایش فرکانس پایین.. 41 جدول 5‑2 مقایسه پردازشگرهای TMS320F243 و TMS320F2812. 43 جدول 5‑3 تقریب پاده با توابع تبدیل گویا از درجههای مختلف. 53 جدول 5‑4 محدودیتهای اعمال شده برای بهینه سازی جبران ساز جریان با تقریب پاده.. 59 جدول 5‑5 مقادیر پارامترها برای آزمون راه اندازی نرم. 67 جدول 6‑1 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش قدیم در اتصال مثلث(نتایج شبیهسازی). 88 جدول 6‑2 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش قدیم در اتصال ستاره(نتایج شبیهسازی). 88 جدول 6‑3 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش جدید در اتصال مثلث(نتایج شبیهسازی). 88 جدول 6‑4 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش جدید در اتصال ستاره(نتایج شبیهسازی). 88 جدول 6‑5 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش قدیم در اتصال مثلث(نتایج آزمایشگاهی). 91 جدول 6‑6 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش قدیم در اتصال ستاره(نتایج آزمایشگاهی). 91 جدول 6‑7 مقاومتهای اندازه گیری شده با روش جدید در اتصال مثلث(نتایج آزمایشگاهی). 91 جدول 6‑8 مقاومتهای اندازه گیری شده باروش جدید در اتصال ستاره(نتایج آزمایشگاهی). 91 جدول 6‑9 خطای نسبی نتایج آزمایش تخمین مقاومتها در بار نامتعادل.. 93 جدول 6‑10 نتایج شبیهسازی تخمین مقاومتها (درصد) در حالات مختلف عدم تعادل.. 94 جدول 6‑11 خطای نسبی مقاومتهای تخمین زده شده بر حسب درصد. 95 جدول 8‑1 شرایط و پارامترهای آزمایش برای اندازه گیری مقاومت اولیه.. 109 جدول 8‑2 شرایط و پارامترهای آزمایش برای راه ارزیابی عملکرد جبران ساز جریان.. 112 جدول 8‑3 شرایط و پارامترهای آزمایش برای راه اندازی نرم. 114 جدول 8‑4 شرایط آزمایش برای اندازه گیری مقاومتها در بار متعادل و نامتعادل.. 117
1-1- پیشگفتار 1-2- انگیزه استفاده از مبدلهای منبع ولتاژ چند سطحی در بازیاب دینامیکی ولتاژ و اهداف اصلی پایاننامه یکی از اجزای اصلی DVR، مبدل منبع ولتاژ است که هرچه ولتاژ تزریقی توسط آن هارمونیک کمتری داشته باشد باعث بهبود عملکرد DVR در جبران سازی خواهد شد از اینرو به جهت دستیابی به ولتاژ تزریقی با عملکرد بالا توسط DVR و بهبود بهتر کیفیت توان، استفاده از DVRهای مبتنی بر مبدلهای منبع ولتاژ چند سطحی مطلوب میباشد. مبدلی که در این پایاننامه استفاده شده است، مبدل منبع ولتاژ چند سطحی با ساختار مدولار شده و سلول تمام پل (CHB) سری کسکاد با اتصال ستاره، که به اختصار (MMCC) نامیده میشود. روش کلیدزنی مورد استفاده در مبدل، مدولاسیون بردار فضایی (SVPWM) مبتنی بر مدولاسیون بردار فضایی دو سطحه استاندارد میباشد زیرا در میان انواع مدولاسیون مورد استفاده در اینورترهای چند سطحی بهترین عملکرد را داراست. در راستای نیل به هدف این پایاننامه ساختار DVR پیشنهادی در سه تیپ مختلف در محیط نرم افزاری MATLAB/Simulink شبیهسازی و مطالعات موردی همراه با مقایسه عملکرد سه تیپ DVR پیشنهادی با DVR معمولی (مبتنی بر اینورتر دو سطحه PWM) و نتایج چند مرجع از لحاظ دامنه ولتاژ جبرانسازی شده و THD% ولتاژ دو سر بار حساس و تزریقی DVR صورت خواهد گرفت. 1-3- ساختار پایاننامه در فصل اول، موضوع تحقیق، اهداف و ساختار پایاننامه ارائه شده است. 2-1- مقدمه 2-2- تعریف کیفیت توان کیفیت توان از دو جنبه متفاوت بسته به اینکه ما مصرفکننده و یا تولیدکننده توان هستیم میتواند تعریف شود. آقای Gerry Heyolt در «کیفیت توان الکتریکی» کیفیت توان را اینگونه تعریف میکند: «اندازهگیری، آنالیز و اصلاح ولتاژ باس برای نگهداشتن آن در حالت سینوسی در ولتاژ و فرکانس نامی». Reger Dugan در «کیفیت توان سیستمهای الکتریکی» کیفیت توان را اینگونه تعریف میکند: «هر گونه تغییر شکل در ولتاژ، جریان و فرکانس که باعث نقص و کارکرد ناصحیح تجهیزات مصرفکننده میشود». تعاریف متنوعی از کیفیت توان وجود دارد [2]: کیفیت توان: در واقع ترکیبی از کیفیت ولتاژ و جریان است. « هر گونه مشکلی که سبب تغییر در ولتاژ، جریان یا فرکانس گردد و موجب خرابی و عملکرد نادرست تجهیزات مصرفکننده شود. » [1] Dynamic voltage Restorer [2] Modular Multilevel Cascade Converter [3] Total Harmonic Distortion [4] Pulse Width Modulation [5] Voltage Sag/Swell [6] Custom Power System ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است متن کامل را می توانید دانلود نمائید چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه) ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است
[یکشنبه 1398-07-14] [ 08:50:00 ق.ظ ]
لینک ثابت
|